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集成電路制造設(shè)備行業(yè)市場情況分析
思瀚產(chǎn)業(yè)研究院 志橙股份    2024-02-20

1、刻蝕設(shè)備

集成電路制造過程中，刻蝕是與光刻相聯(lián)系的圖形化處理的一種主要工藝，工藝順序位于光刻之后，先通過光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后將晶圓表面通過化學(xué)或物理方法腐蝕處理掉所需除去的部分，目標(biāo)是在涂膠的晶圓上正確地復(fù)制掩模圖形，該步驟是半導(dǎo)體晶圓制造中的關(guān)鍵步驟，其先進(jìn)程度也直接影響了晶圓廠先進(jìn)制程芯片生產(chǎn)能力以及芯片的應(yīng)用性能。

干法刻蝕在半導(dǎo)體刻蝕中占據(jù)絕對(duì)主流地位，市場占比達(dá)到 90%，根據(jù)Gartner 數(shù)據(jù)，2022 年全球干法刻蝕設(shè)備市場規(guī)模為 209.44 億美元，為規(guī)模最大的集成電路制造設(shè)備市場之一。

2、擴(kuò)散/氧化/退火設(shè)備

集成電路制造過程中，熱處理工藝應(yīng)用于半導(dǎo)體制程的氧化、擴(kuò)散和退火環(huán)節(jié)。氧化環(huán)節(jié)是將晶圓放置于氧化劑的氛圍中進(jìn)行高溫?zé)崽幚?，在晶圓表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成氧化膜的過程；擴(kuò)散環(huán)節(jié)是指在高溫條件下，利用熱擴(kuò)散原理將雜質(zhì)元素?fù)饺牍枰r底從而改變硅材料的電學(xué)特性的過程；退火環(huán)節(jié)是指修復(fù)離子注入帶來的晶格缺陷的過程。集成電路熱處理設(shè)備包括快速熱處理設(shè)備（RapidThermal Processing，RTP）、氧化/擴(kuò)散設(shè)備（含臥式爐、立式爐）和柵極堆疊（GateStack）設(shè)備。

根據(jù) Gartner 數(shù)據(jù)，2022 年全球熱處理設(shè)備市場規(guī)模合計(jì) 28.75 億美元，其中快速熱處理設(shè)備市場規(guī)模為 13.49 億美元，氧化/擴(kuò)散設(shè)備市場規(guī)模為 9.60 億美元。