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半導體 CMP 制程工藝材料領域競爭格局
思瀚產業(yè)研究院    2024-08-18

CMP制程工藝材料主要依托 CMP 技術的化學-機械動態(tài)耦合作用原理，通過化學腐蝕與機械研磨的協同配合作用，實現晶圓表面多余材料的高效去除與全局納米級平坦化；其涉及力學、化學、摩擦學、高分子材料學、固體物理和機械工程學等多學科的交叉，研發(fā)制造難度大。

根據艾邦半導體網數據，美國杜邦（Dupont）占據了全球 CMP 拋光墊 75%以上的市場份額，其他公司包括美國卡博特（CMC Materials）、美國 TWI（Thomas west Inc）、日本富士紡（Fujibo）等，上述幾家海外龍頭企業(yè)占據了全球 CMP 拋光墊市場約 90%的份額。

根據 QYResearch 數據，全球 CMP 拋光液市場主要被美國卡博特（CMC Materials）、日本力森諾科（Resonac）、美國 VSM（Versum Materials）和日本福吉米（Fujimi）等美日企業(yè)壟斷，競爭格局較為集中，2022 年全球 CMP 拋光液前十大供應商占比約為 87%。

CMP 拋光材料市場集中度較高，競爭格局呈現寡頭壟斷，主要原因是技術門檻高、龍頭企業(yè)專利及產品豐富且客戶粘性強。芯片先進制程對 CMP 拋光材料提出了更高的要求，根據集成電路材料研究，當前 IC 芯片要求全局平整落差10-100nm 的超高平整度，對拋光工藝要求十分嚴格。

在超高精細度的同時，晶圓代工廠要求拋光材料具有極高的良率和穩(wěn)定性，因此一旦形成穩(wěn)定的供應體系，一般情況下晶圓代工廠不會輕易更換拋光材料供應商。

國外龍頭企業(yè)的產品由于技術先進、產品線更為成熟，處于中國市場的第一梯隊，國內 CMP 拋光材料產業(yè)起步慢，正在逐步實現國產替代。

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