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全球半導(dǎo)體存儲產(chǎn)業(yè)概況
思瀚產(chǎn)業(yè)研究院    2023-02-14

(1)全球半導(dǎo)體存儲產(chǎn)業(yè)在波動中呈現(xiàn)總體增長趨勢

半導(dǎo)體存儲器作為電子系統(tǒng)的基本組成部分,是現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)應(yīng)用最為廣泛的電子器件之一。隨著現(xiàn)代電子信息系統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲需求指數(shù)級增長,半導(dǎo)體存儲出貨量持續(xù)大幅增長,另一方面,由于存儲晶圓制程基本按照摩爾定律不斷取得突破,單位存儲成本在長期曲線中呈現(xiàn)單邊下降趨勢,市場的總體規(guī)模在短期供需波動中總體保持長期增長趨勢。

數(shù)據(jù)來源:WSTS

(2)DRAM與NAND Flash是半導(dǎo)體存儲的主流市場

半導(dǎo)體存儲市場中,DRAM和NAND Flash占據(jù)主導(dǎo)地位,根據(jù)IC Insights數(shù)據(jù),2019年全球半導(dǎo)體存儲器市場中DRAM占比達(dá)58%,NAND Flash約占40%,此外NOR Flash占據(jù)約1%的市場份額。隨著電子產(chǎn)品對即時響應(yīng)速度和數(shù)據(jù)處理速度的要求不斷提高和CPU升級迭代,DRAM器件的主流存儲容量亦持續(xù)擴大。近年來隨著NAND Flash技術(shù)不斷發(fā)展,單位存儲成本的經(jīng)濟(jì)效益不斷優(yōu)化,應(yīng)用場景持續(xù)拓展,用戶需求不斷攀升。在長期增長的總體趨勢下,DRAM和NAND Flash的短期市場規(guī)模與產(chǎn)品價格受到晶圓技術(shù)迭代與產(chǎn)能投放、下游終端市場需求、渠道市場備貨,以及全球貿(mào)易環(huán)境等多重因素影響,供求平衡較為敏感。

數(shù)據(jù)來源:IC Insights

① NAND Flash市場

根據(jù)Omdia (IHS Markit)數(shù)據(jù),2020年全球NAND Flash市場實現(xiàn)銷售額為571.95億美元,較2019年增長24.17%。2012年至2017年,全球NAND Flash在數(shù)據(jù)爆炸中保持持續(xù)穩(wěn)定增長,特別是2016年至2018年初,受4G智能手機等移動終端需求驅(qū)動,以及存儲原廠的生產(chǎn)工藝從2D向3D升級造成的產(chǎn)能切換,NAND Flash供不應(yīng)求,量價齊升,市場快速擴張。

2018年初,4G智能手機市場經(jīng)過數(shù)年發(fā)展趨于飽和,同時存儲原廠基本完成3D NAND Flash 的工藝升級,導(dǎo)致晶圓單位存儲密度大幅度提升,NAND Flash供過于求,價格迎來拐點并持續(xù)下跌,而由于存儲原廠產(chǎn)能投放充足,存儲原廠持續(xù)將產(chǎn)能傳導(dǎo)至渠道市場,市場規(guī)模仍保持增長慣性,直至2019年大幅回落。2020年受新冠疫情影響,居家辦公、遠(yuǎn)程通信需求持續(xù)拉動個人電腦、服務(wù)器市場增長,同時全球產(chǎn)能受疫情管制措施干擾,DRAM與NAND Flash價格上漲,2020年市場規(guī)模實現(xiàn)增長。

數(shù)據(jù)來源:Omdia (IHS Markit)

② DRAM市場

根據(jù)Omdia (IHS Markit)數(shù)據(jù),2020年全球DRAM市場實現(xiàn)銷售額為663.83億美元,較2019年小幅增長6.75%。DRAM市場由于集中度更高,主要供應(yīng)商的產(chǎn)能布局和市場需求之間的動態(tài)平衡更為脆弱,存儲原廠產(chǎn)能規(guī)劃對市場價格和總體規(guī)模影響較大。2018年由于三大存儲原廠DRAM制程切換中產(chǎn)能儲備不足,與NAND Flash年初即迎來價格拐點不同,市場缺貨行情支撐DRAM價格仍然保持增長至2018第三季度,并助推2018年市場規(guī)模實現(xiàn)較高增長,此后DRAM與NAND Flash同樣受疲軟需求拖累,2019年DRAM價格及市場規(guī)模均大幅跳水,2020年市場需求有所恢復(fù)性增長。

數(shù)據(jù)來源:Omdia (IHS Markit)

編輯:劉帆

來源: 思瀚  江波龍

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