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半導體激光器行業(yè)技術水平及特點
思瀚產(chǎn)業(yè)研究院華光光電 2023-09-22

半導體激光器的技術水平主要體現(xiàn)在波長、功率、電光轉換效率和可靠性等方面。在波長方面，砷化鎵基激光器的發(fā)光波長范圍通常在 610nm 到 1300nm，企業(yè)能夠實現(xiàn)的波長范圍越廣，其產(chǎn)品能夠服務的應用場景越廣闊。

目前，國內砷化鎵基激光器芯片廠商主要產(chǎn)品波段在 780nm 到 1064nm 的近紅外波段，主要應用于先進制造領域。公司自產(chǎn)芯片及巴條產(chǎn)品波長范圍覆蓋 635nm 到 1064nm，除先進制造領域外，還能夠服務于測量傳感、醫(yī)療健康等眾多領域，應用場景較豐富。

在功率方面，行業(yè)內主要通過兩種方式提高半導體激光器的輸出功率，一是提高半導體激光器單個芯片的輸出功率，二是增加半導體激光器單巴條的發(fā)光點個數(shù)。

以應用較廣泛的 808nm 半導體激光器為例，目前單芯片產(chǎn)品的連續(xù)輸出功率可達 15W，單巴條產(chǎn)品的脈沖輸出功率可達 500W。以 915nm 半導體激光器為例，目前主流單芯片產(chǎn)品的連續(xù)輸出功率可達 35W。

在電光轉換效率方面，紅外波段高功率半導體激光器最大電光轉換效率可達70%以上。在可靠性方面，半導體激光器單芯片最長壽命可達 10 萬小時；巴條疊陣連續(xù)工作壽命可達上萬小時，微秒級脈沖工作壽命可達 3E9 次。

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