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電路保護(hù)與功率控制行業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)分析
思瀚產(chǎn)業(yè)研究院 維安股份    2023-09-27

（1）下游終端產(chǎn)品功能多樣性發(fā)展，推動(dòng)電路保護(hù)與功率控制市場(chǎng)需求增長(zhǎng)

新技術(shù)正推動(dòng)工業(yè)與物聯(lián)網(wǎng)、消費(fèi)類電子、新能源、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車等行業(yè)發(fā)生持續(xù)變革，終端產(chǎn)品對(duì)安全可靠性、穩(wěn)定性、電能轉(zhuǎn)換效率、高壓大功率等指標(biāo)均提出了更高的要求。未來(lái)產(chǎn)品設(shè)計(jì)將更加復(fù)雜，同一組裝面積內(nèi)將集成更多元器件，產(chǎn)品功能將愈發(fā)多樣。

電路保護(hù)與功率控制產(chǎn)品作為安全保護(hù)和能量控制的核心產(chǎn)品，是眾多下游領(lǐng)域終端產(chǎn)品的必備組成部分，有望隨終端產(chǎn)品的多樣化功能和復(fù)雜化設(shè)計(jì)而帶來(lái)整體行業(yè)的巨大需求。因此，各類下游終端產(chǎn)品的發(fā)展有望持續(xù)促進(jìn)電路保護(hù)與功率控制技術(shù)迭代，朝著更小體積、更高性能方向發(fā)展。

（2）國(guó)內(nèi)與國(guó)外技術(shù)差距縮小，市場(chǎng)國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)明顯

在國(guó)家政策的大力扶持下，行業(yè)不斷涌現(xiàn)新的技術(shù)成果，與海外的技術(shù)差距正逐步縮小。對(duì)于熔斷器、PTC 等非半導(dǎo)體保護(hù)元件而言，材料為技術(shù)重點(diǎn)，但整體的材料、工藝技術(shù)發(fā)展速度較慢。對(duì)于半導(dǎo)體保護(hù)器件而言，制造工藝方面的要求較高，但在電路保護(hù)行業(yè)經(jīng)過(guò)近百年發(fā)展后，技術(shù)迭代速度有所放緩；而國(guó)內(nèi)企業(yè)雖然起步相較海外企業(yè)較晚，但是經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期的發(fā)展，積累了不少技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，國(guó)內(nèi)外的技術(shù)差距進(jìn)一步減小。

在產(chǎn)品質(zhì)量與性能方面，國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品中已經(jīng)有不少能夠與海外廠商的產(chǎn)品進(jìn)行同臺(tái)競(jìng)爭(zhēng)，出口海外，有望在未來(lái)獲得更大的市場(chǎng)空間。

在功率控制領(lǐng)域，以 MOSFET 和 IGBT 為例，MOSFET 逐漸從中低壓向中高壓領(lǐng)域拓展，與國(guó)外差距持續(xù)縮短；IGBT 作為目前重點(diǎn)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方向，也在快速追趕國(guó)外先進(jìn)技術(shù)。盡管國(guó)內(nèi)第三代材料起步較晚，但近年來(lái)技術(shù)發(fā)展速度迅猛，產(chǎn)品性能提升較快，有望向國(guó)外領(lǐng)先水平不斷看齊。

國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程方面，近幾年中國(guó)在中低端領(lǐng)域發(fā)展迅速，高端產(chǎn)品市場(chǎng)尚未充分打開(kāi)，未來(lái)國(guó)內(nèi)功率控制行業(yè)內(nèi)的優(yōu)秀企業(yè)將脫穎而出，憑借地緣、技術(shù)和成本等多方面的優(yōu)勢(shì)獲得更多發(fā)展機(jī)會(huì)。

（3）新興產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展推動(dòng)功率控制需求增長(zhǎng)

隨著汽車、智能制造、5G、LED、人工智能、高端應(yīng)用處理器、高性能計(jì)算等新興產(chǎn)業(yè)的升級(jí)迭代，電路保護(hù)與功率控制產(chǎn)品將被更為廣泛地應(yīng)用在各類智能移動(dòng)終端、工業(yè)機(jī)器人等新興產(chǎn)品中，有望推動(dòng)行業(yè)的持續(xù)增長(zhǎng)。

以工業(yè)領(lǐng)域?yàn)槔殡S工業(yè)4.0 在全球范圍內(nèi)的深化以及智能制造在中國(guó)的進(jìn)一步滲透，相關(guān)工業(yè)控制設(shè)備的穩(wěn)定出貨將持續(xù)驅(qū)動(dòng)電路保護(hù)與功率控制市場(chǎng)的需求，打開(kāi)更大的成長(zhǎng)空間。